Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Frecuencia de Funcionamiento
230MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Encapsulado
M174
Serie
SD2931
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Operación
65°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Altura
4.11mm
Longitud
26.67mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
24.89mm
Ganancia de potencia típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Frecuencia de Funcionamiento
230MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Encapsulado
M174
Serie
SD2931
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Operación
65°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Altura
4.11mm
Longitud
26.67mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
24.89mm
Ganancia de potencia típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.