MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 917-3356Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SD2931-10W
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

125 V

Tipo de Encapsulado

M174

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

4

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

389 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

24.89mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

26.67mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+200 °C

Altura

4.11mm

Datos del producto

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics

Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET STMicroelectronics SD2931-10W, VDSS 125 V, ID 20 A, M174 de 4 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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N

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M174

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

4

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

389 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

24.89mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

26.67mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+200 °C

Altura

4.11mm

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