MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
119A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
Hip-247
Series
SCTWA90N65G2V-4
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
656W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Tensión directa Vf
2.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Ancho
21.1 mm
Altura
5.1mm
Longitud
15.9mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 1.228.020
$ 40.934 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.461.344
$ 48.711,46 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 1.228.020
$ 40.934 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.461.344
$ 48.711,46 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
30
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
119A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
Hip-247
Series
SCTWA90N65G2V-4
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
656W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Tensión directa Vf
2.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Ancho
21.1 mm
Altura
5.1mm
Longitud
15.9mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No

