MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
91A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Series
SCTWA70N120G2V-4
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
30mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
150nC
Tensión directa Vf
2.7V
Disipación de potencia máxima Pd
547W
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Ancho
15.6 mm
Altura
5mm
Longitud
34.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
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Empaque de Producción (Tubo)
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
91A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Series
SCTWA70N120G2V-4
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
30mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
150nC
Tensión directa Vf
2.7V
Disipación de potencia máxima Pd
547W
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Ancho
15.6 mm
Altura
5mm
Longitud
34.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No

