MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.03 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Material del transistor
Silicio
Número de Elementos por Chip
1
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.03 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Material del transistor
Silicio
Número de Elementos por Chip
1

