MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
91A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Series
SCTWA70N120G2V-4
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
30mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
150nC
Tensión directa Vf
2.7V
Disipación de potencia máxima Pd
547W
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Ancho
15.6 mm
Altura
5mm
Longitud
34.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 111.447
$ 111.447 Each (Sin IVA)
$ 132.622
$ 132.622 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 111.447
$ 111.447 Each (Sin IVA)
$ 132.622
$ 132.622 Each (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | $ 111.447 |
| 2 - 4 | $ 109.211 |
| 5+ | $ 98.296 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
91A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Series
SCTWA70N120G2V-4
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
30mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
150nC
Tensión directa Vf
2.7V
Disipación de potencia máxima Pd
547W
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Ancho
15.6 mm
Altura
5mm
Longitud
34.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No

