MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

Código de producto RS: 230-0093Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTWA60N120G2-4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCTW

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

3V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Profundidad

5.1 mm

Altura

21.1mm

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

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$ 990.360

$ 33.012 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 1.178.528

$ 39.284,28 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 990.360
60$ 1.980.720
90$ 2.971.080
120$ 3.961.440
150$ 4.951.800
180$ 5.942.160
210$ 6.932.520
240$ 7.922.880
270$ 8.913.240
300$ 9.903.600
330$ 10.893.960
360$ 11.884.320
390$ 12.874.680
420$ 13.865.040
450$ 14.855.400

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52mΩ

Modo de canal

Mejora

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