MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCTW
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
52mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
22nC
Disipación de potencia máxima Pd
388W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.9mm
Altura
21.1mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 990.360
$ 33.012 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.178.528
$ 39.284,28 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 990.360
$ 33.012 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.178.528
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Volver a intentar más tarde
30
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STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCTW
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
52mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
22nC
Disipación de potencia máxima Pd
388W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.9mm
Altura
21.1mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No

