Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

Código de producto RS: 204-3957Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTWA35N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Tipo de Encapsulado

Hip-247

Series

SCTWA35N65G2V

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.072Ω

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Tensión directa Vf

3.3V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Ancho

5.1 mm

Altura

41.2mm

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

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$ 456.450

$ 15.215 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 543.176

$ 18.105,85 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 456.450
60$ 912.900
90$ 1.369.350
120$ 1.825.800
150$ 2.282.250
180$ 2.738.700
210$ 3.195.150
240$ 3.651.600
270$ 4.108.050
300$ 4.564.500
330$ 5.020.950
360$ 5.477.400
390$ 5.933.850
420$ 6.390.300
450$ 6.846.750

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240$ 3.651.600
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300$ 4.564.500
330$ 5.020.950
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650V

Tipo de Encapsulado

Hip-247

Series

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Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.072Ω

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Tensión directa Vf

3.3V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Ancho

5.1 mm

Altura

41.2mm

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