Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

Código de producto RS: 204-3957Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTWA35N65G2V
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

45 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

SCTWA35N65G2V

Tipo de Encapsulado

Hip247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,072 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

País de Origen

China

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

$ 456.450

$ 15.215 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 543.176

$ 18.105,85 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 456.450
60$ 912.900
90$ 1.369.350
120$ 1.825.800
150$ 2.282.250
180$ 2.738.700
210$ 3.195.150
240$ 3.651.600
270$ 4.108.050
300$ 4.564.500
330$ 5.020.950
360$ 5.477.400
390$ 5.933.850
420$ 6.390.300
450$ 6.846.750

$ 456.450

$ 15.215 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 543.176

$ 18.105,85 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCTWA35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

Volver a intentar más tarde

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 456.450
60$ 912.900
90$ 1.369.350
120$ 1.825.800
150$ 2.282.250
180$ 2.738.700
210$ 3.195.150
240$ 3.651.600
270$ 4.108.050
300$ 4.564.500
330$ 5.020.950
360$ 5.477.400
390$ 5.933.850
420$ 6.390.300
450$ 6.846.750

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

45 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

SCTWA35N65G2V

Tipo de Encapsulado

Hip247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,072 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

País de Origen

China

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más