Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulos MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.09Ω
Modo de canal
Depletion
Datos del producto
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.
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$ 38.036
$ 38.036 Each (Sin IVA)
$ 45.263
$ 45.263 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 38.036 |
| 5 - 9 | $ 32.776 |
| 10+ | $ 30.886 |
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STMicroelectronicsTipo de Producto
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Tipo de canal
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Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.09Ω
Modo de canal
Depletion
Datos del producto
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.
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