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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulos MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.09Ω
Modo de canal
Depletion
Datos del producto
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
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$ 38.036
$ 38.036 Each (Sin IVA)
$ 45.263
$ 45.263 Each (IVA Inc.)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 38.036 |
| 5 - 9 | $ 32.776 |
| 10+ | $ 30.886 |
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N
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Encapsulado
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Serie
SCT
Tipo de Montaje
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Número de pines
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Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.09Ω
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The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
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