MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTW90N65G2V, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Código de producto RS: 201-0887Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW90N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

119A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Series

SCTW90

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

565W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

200°C

Anchura

5.15 mm

Altura

20.15mm

Largo

15.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

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$ 39.485 Each (Sin IVA)

$ 46.987

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 39.485
5 - 9$ 37.107
10 - 24$ 35.138
25 - 49$ 33.500
50+$ 32.666

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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

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Series

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Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

565W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Tensión directa Vf

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

200°C

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