MOSFET STMicroelectronics SCTW90N65G2V, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247 de 3 pines

Código de producto RS: 201-0887Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW90N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

119 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

Hip247

Serie

SCTW90

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,024 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

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$ 51.636

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 43.392
2$ 86.784
3$ 130.176
4$ 173.568
5$ 203.885
6$ 244.662
7$ 285.439
8$ 326.216
9$ 366.993
10$ 386.140
11$ 424.754
12$ 463.368
13$ 501.982
14$ 540.596
15$ 579.210

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10$ 386.140
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Comprar en grandes cantidades

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5 - 9$ 40.777
10 - 24$ 38.614
25 - 49$ 36.452
50+$ 34.713

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