MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Código de producto RS: 201-0886Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW90N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

119A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCTW90

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

565W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

200°C

Profundidad

5.15 mm

Altura

20.15mm

Largo

15.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

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$ 34.477 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 1.230.829

$ 41.027,63 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 1.034.310
60$ 2.068.620
90$ 3.102.930
120$ 4.137.240
150$ 5.171.550
180$ 6.205.860
210$ 7.240.170
240$ 8.274.480
270$ 9.308.790
300$ 10.343.100
330$ 11.377.410
360$ 12.411.720
390$ 13.446.030
420$ 14.480.340
450$ 15.514.650

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Encapsulado

Hip-247

Serie

SCTW90

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Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

565W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

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Temperatura de Funcionamiento Máxima

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