Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
73mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
94nC
Disipación de potencia máxima Pd
389W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Longitud
34.8mm
Altura
5mm
Certificaciones y estándares
UL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Modo de canal
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-55°C
Tensión directa Vf
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200°C
Longitud
34.8mm
Altura
5mm
Certificaciones y estándares
UL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.
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