
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Serie
SCT
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.105Ω
Modo de canal
Depletion
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22V
Tensión directa Vf
3.4V
Disipación de potencia máxima Pd
290W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
63nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Longitud:
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Altura
34.95mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.
Volver a intentar más tarde
$ 26.744
$ 26.744 Each (Sin IVA)
$ 31.825
$ 31.825 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 26.744
$ 26.744 Each (Sin IVA)
$ 31.825
$ 31.825 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 26.744 |
| 5 - 9 | $ 26.208 |
| 10+ | $ 24.554 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Serie
SCT
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.105Ω
Modo de canal
Depletion
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22V
Tensión directa Vf
3.4V
Disipación de potencia máxima Pd
290W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
63nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Longitud:
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Altura
34.95mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.