Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
36A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCTW40N
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
700mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
278W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
13nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22V
Tensión directa Vf
3.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
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¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 619.440
$ 20.648 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 737.134
$ 24.571,12 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Disipación de potencia máxima Pd
278W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
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Tensión directa Vf
3.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
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RoHS
Ancho
5.15mm
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No
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