MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

Código de producto RS: 202-5487Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW35N65G2VAG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.055Ω

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

200°C

Profundidad

5.15 mm

Altura

34.95mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

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$ 478.170

$ 15.939 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 569.022

$ 18.967,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 45 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 478.170
60$ 956.340
90$ 1.434.510
120$ 1.912.680
150$ 2.390.850
180$ 2.869.020
210$ 3.347.190
240$ 3.825.360
270$ 4.303.530
300$ 4.781.700
330$ 5.259.870
360$ 5.738.040
390$ 6.216.210
420$ 6.694.380
450$ 7.172.550

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Serie

SCT

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Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.055Ω

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

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3.3V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

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