Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.055 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Volver a intentar más tarde
$ 478.170
$ 15.939 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 569.022
$ 18.967,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 478.170
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$ 569.022
$ 18.967,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.055 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC

