Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.055 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
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$ 19.085
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 22.711,15
Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 19.085
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 22.711,15
Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.055 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC