MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Código de producto RS: 201-0860PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW35N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Series

SCTW35

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Anchura

5.15 mm

Altura

15.75mm

Largo

14.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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MOSFET

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Type N

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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Hip-247

Series

SCTW35

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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