MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

Código de producto RS: 202-5485Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW100N65G2AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.105Ω

Modo de Canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

420W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Tensión directa Vf

2.8V

Temperatura Máxima de Operación

200°C

Ancho

5.15 mm

Altura

34.95mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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$ 1.220.010

$ 40.667 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 1.451.812

$ 48.393,73 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 1.220.010
60$ 2.440.020
90$ 3.660.030
120$ 4.880.040
150$ 6.100.050
180$ 7.320.060
210$ 8.540.070
240$ 9.760.080
270$ 10.980.090
300$ 12.200.100
330$ 13.420.110
360$ 14.640.120
390$ 15.860.130
420$ 17.080.140
450$ 18.300.150

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Series

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Surface

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7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.105Ω

Modo de Canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

420W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

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Temperatura Máxima de Operación

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