Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, HIP247 3 contactos de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
HIP247 3 contactos
Series
SCT
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.105 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
$ 1.220.010
$ 40.667 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.451.812
$ 48.393,73 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 1.220.010
$ 40.667 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.451.812
$ 48.393,73 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
HIP247 3 contactos
Series
SCT
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.105 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1

