Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
H²PAK-7
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,105 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
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$ 41.250
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 49.087,50
Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 41.250
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 49.087,50
Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
H²PAK-7
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,105 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC