MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

417W

Tensión directa Vf

3.3V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Longitud:

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

8.1mm

Altura

950μm

Estándar de automoción

No