MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Código de producto RS: 201-0869Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTH90N65G2V-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

116A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Tipo de Encapsulado

H2PAK

Series

SCTH90

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

484W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Anchura

4.8 mm

Altura

10.4mm

Longitud:

15.25mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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$ 38.068

$ 38.068 Each (Sin IVA)

$ 45.301

$ 45.301 Each (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 38.068
5 - 9$ 35.768
10 - 24$ 33.878
25 - 49$ 31.973
50+$ 30.870

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Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

116A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Tipo de Encapsulado

H2PAK

Series

SCTH90

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

484W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Anchura

4.8 mm

Altura

10.4mm

Longitud:

15.25mm

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No

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