MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
116A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Series
SCTH90
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Disipación de potencia máxima Pd
484W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.8 mm
Longitud
15.25mm
Estándar de automoción
No
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$ 38.068
$ 38.068 Each (Sin IVA)
$ 45.301
$ 45.301 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 38.068 |
| 5 - 9 | $ 35.768 |
| 10 - 24 | $ 33.878 |
| 25 - 49 | $ 31.973 |
| 50+ | $ 30.870 |
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Tipo de Canal
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Series
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Encapsulado
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Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
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No
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No
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