MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
116A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
H2PAK
Serie
SCTH90
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
484W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
4.8 mm
Altura
10.4mm
Largo
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 30.878.000
$ 30.878 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 36.744.820
$ 36.744,82 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 30.878.000
$ 30.878 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 36.744.820
$ 36.744,82 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
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1000
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
116A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
H2PAK
Serie
SCTH90
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
484W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
4.8 mm
Altura
10.4mm
Largo
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No

