Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
116A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
H2PAK
Serie
SCTH90
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
484W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
10.4mm
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Anchura
4.8mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
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Volver a intentar más tarde
$ 30.878.000
$ 30.878 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 36.744.820
$ 36.744,82 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
484W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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15.25mm
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RoHS
Anchura
4.8mm
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No
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El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
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