MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
116A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Series
SCTH90
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
24mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
157nC
Disipación de potencia máxima Pd
484W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.8 mm
Longitud
15.25mm
Estándar de automoción
No
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$ 30.878.000
$ 30.878 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 36.744.820
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
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