Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Módulos MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK-7
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.105Ω
Modo de canal
Depletion
Datos del producto
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotriz de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación.
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$ 18.747.000
$ 18.747 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 22.308.930
$ 22.308,93 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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Encapsulado
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SCT
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El MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotriz de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación.
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