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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulos MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK-7
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.105Ω
Modo de canal
Depletion
Datos del producto
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
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$ 24.822
$ 24.822 Each (Sin IVA)
$ 29.538
$ 29.538 Each (IVA Inc.)
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1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 49 | $ 24.822 |
| 50 - 99 | $ 20.255 |
| 100 - 249 | $ 19.735 |
| 250 - 499 | $ 19.231 |
| 500+ | $ 18.743 |
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N
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Encapsulado
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Serie
SCT
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Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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