MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK
Series
SCTH40N
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
105mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.8 mm
Longitud
10.4mm
Altura
15.25mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 16.443.000
$ 16.443 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 19.567.170
$ 19.567,17 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 16.443.000
$ 16.443 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 19.567.170
$ 19.567,17 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
1000
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK
Series
SCTH40N
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
105mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.8 mm
Longitud
10.4mm
Altura
15.25mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No

