MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
H2PAK
Series
SCTH40N
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
105mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.8 mm
Altura
15.25mm
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 16.443.000
$ 16.443 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 19.567.170
$ 19.567,17 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 16.443.000
$ 16.443 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 19.567.170
$ 19.567,17 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
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1000
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
H2PAK
Series
SCTH40N
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
105mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.8 mm
Altura
15.25mm
Estándar de automoción
No

