MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Código de producto RS: 224-9997Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTH35N65G2V-7AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Tipo de Encapsulado

H2PAK

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión directa Vf

3.3V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Ancho

4.8 mm

Altura

15.25mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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$ 1.628.600

$ 16.286 Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)

$ 1.938.034

$ 19.380,34 Each (On a Reel of 100) (IVA Inc.)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 1.628.600
200$ 3.257.200
300$ 4.885.800
400$ 6.514.400
500$ 8.143.000
600$ 9.771.600
700$ 11.400.200
800$ 13.028.800
900$ 14.657.400
1000$ 16.286.000
1100$ 17.914.600
1200$ 19.543.200
1300$ 21.171.800
1400$ 22.800.400
1500$ 24.429.000

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1000$ 16.286.000
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Tipo de Encapsulado

H2PAK

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

208W

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22 V

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