MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
95A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
H2PAK
Series
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.02Ω
Modo de Canal
Reducción
Disipación de potencia máxima Pd
360W
Tensión directa Vf
2.8V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
162nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.8 mm
Altura
15.25mm
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 32.201.000
$ 32.201 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 38.319.190
$ 38.319,19 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 32.201.000
$ 32.201 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 38.319.190
$ 38.319,19 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
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1000
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STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
95A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
H2PAK
Series
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.02Ω
Modo de Canal
Reducción
Disipación de potencia máxima Pd
360W
Tensión directa Vf
2.8V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
162nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.8 mm
Altura
15.25mm
Estándar de automoción
No

