MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1200 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Código de producto RS: 907-4741PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT30N120
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Tipo de Encapsulado

Hip-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Tensión directa Vf

3.5V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más
Ver todo en MOSFETs

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1200 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1200 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Tipo de Encapsulado

Hip-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Tensión directa Vf

3.5V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más