Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
270W
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
105nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-10, +25V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
3.5V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
200°C
Altura
20.15mm
Longitud:
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.
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P.O.A.
Estándar
1
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
270W
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
105nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-10, +25V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
3.5V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
200°C
Altura
20.15mm
Longitud:
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.