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¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1.2kV
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
270W
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
105nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-10, +25V
Tensión directa Vf
3.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS complaint
Anchura
5.15mm
Estándar de automoción
AEC-Q200
Datos del producto
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.
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P.O.A.
Estándar
1
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MOSFET
Tipo de canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1.2kV
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
270W
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
105nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-10, +25V
Tensión directa Vf
3.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS complaint
Anchura
5.15mm
Estándar de automoción
AEC-Q200
Datos del producto
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.