MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1200 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
45A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100mΩ
Modo de canal
Mejora
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
105nC
Tensión directa Vf
3.5V
Disipación de potencia máxima Pd
270W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
5.15 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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1
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Modo de canal
Mejora
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
105nC
Tensión directa Vf
3.5V
Disipación de potencia máxima Pd
270W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
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RoHS
Profundidad
5.15 mm
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No
Datos del producto
MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.
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