MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

203mΩ

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Longitud

15.8mm

Altura

10.4mm

Certificaciones y estándares

DIN EN ISO 6789-2:2017

Estándar de automoción

No