MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

203mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Altura

10.4mm

Longitud:

15.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Ancho

4.7mm

Estándar de automoción

No