MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

Código de producto RS: 201-4415Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT20N120H
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SiC MOSFET

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

203mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Profundidad

4.7 mm

Altura

10.4mm

Longitud

15.8mm

Estándar de automoción

No

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$ 13.233.000

$ 13.233 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

$ 15.747.270

$ 15.747,27 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000$ 13.233.000
2000$ 26.466.000
3000$ 39.699.000
4000$ 52.932.000
5000$ 66.165.000
6000$ 79.398.000
7000$ 92.631.000
8000$ 105.864.000
9000$ 119.097.000
10000$ 132.330.000
11000$ 145.563.000
12000$ 158.796.000
13000$ 172.029.000
14000$ 185.262.000
15000$ 198.495.000

$ 13.233.000

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4000$ 52.932.000
5000$ 66.165.000
6000$ 79.398.000
7000$ 92.631.000
8000$ 105.864.000
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10000$ 132.330.000
11000$ 145.563.000
12000$ 158.796.000
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3

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203mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

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25 V

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-55°C

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