Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SiC MOSFET
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.203 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
239V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Volver a intentar más tarde
$ 13.233.000
$ 13.233 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 15.747.270
$ 15.747,27 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 13.233.000
$ 13.233 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 15.747.270
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1000
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SiC MOSFET
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.203 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
239V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC


