Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
16A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.52Ω
Modo de canal
Depletion
Disipación de potencia máxima Pd
153W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
45nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
3.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Altura
15.8mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.7mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Volver a intentar más tarde
$ 440.276
$ 440.276 1 Tube of 30 (Sin IVA)
$ 523.928
$ 523.928 1 Tube of 30 (IVA Inc.)
1
$ 440.276
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$ 523.928
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1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
16A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.52Ω
Modo de canal
Depletion
Disipación de potencia máxima Pd
153W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
45nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
3.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Altura
15.8mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.7mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.