Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.52Ω
Modo de canal
Depletion
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
4.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Altura
34.95mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Volver a intentar más tarde
$ 8.726
$ 8.726 Each (Sin IVA)
$ 10.384
$ 10.384 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Serie
SCT
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.52Ω
Modo de canal
Depletion
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
4.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Altura
34.95mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.