Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines

Código de producto RS: 202-5475Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT10N120
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Series

SCT

Tipo de Encapsulado

Hip247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.58 Ω

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

$ 263.940

$ 8.798 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 314.089

$ 10.469,62 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines

$ 263.940

$ 8.798 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 314.089

$ 10.469,62 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines

Volver a intentar más tarde

Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Series

SCT

Tipo de Encapsulado

Hip247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.58 Ω

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más