MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Series
SCT
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
41nC
Disipación de potencia máxima Pd
236W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-10 to 22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Certificaciones y estándares
AEC-Q101
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Estándar
1
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1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Series
SCT
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
41nC
Disipación de potencia máxima Pd
236W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-10 to 22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Certificaciones y estándares
AEC-Q101
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China

