MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

Código de producto RS: 215-242PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT070HU120G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Tipo de Encapsulado

HU3PAK

Series

SCT

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

23W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Longitud:

18.58mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Profundidad

14 mm

Altura

3.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

Japan

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P.O.A.

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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MOSFET de potencia

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Type N

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1200V

Tipo de Encapsulado

HU3PAK

Series

SCT

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

23W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Longitud:

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