MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070HU120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET de potencia
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
HU3PAK
Series
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
37nC
Disipación de potencia máxima Pd
23W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
14 mm
Longitud
18.58mm
Altura
3.5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 600) (Sin IVA)
600
P.O.A.
Each (On a Reel of 600) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
600
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET de potencia
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
HU3PAK
Series
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
37nC
Disipación de potencia máxima Pd
23W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
14 mm
Longitud
18.58mm
Altura
3.5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan

