MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 214-961PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT070H120G3-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Disipación de potencia máxima Pd

224W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

3V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Ancho

10.4 mm

Longitud

15.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Disipación de potencia máxima Pd

224W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

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