MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK-7
Serie
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
37nC
Disipación de potencia máxima Pd
224W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
$ 14.569
$ 14.569 Each (Sin IVA)
$ 17.337
$ 17.337 Each (IVA Inc.)
1
$ 14.569
$ 14.569 Each (Sin IVA)
$ 17.337
$ 17.337 Each (IVA Inc.)
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 14.569 |
| 10 - 99 | $ 13.104 |
| 100+ | $ 12.096 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK-7
Serie
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
37nC
Disipación de potencia máxima Pd
224W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
País de Origen
China

