Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
MOSFET STMicroelectronics SCT040W65G3-4, VDSS 650 V, ID 30 A, HiP247-4 de 4 pines
1
P.O.A.
MOSFET STMicroelectronics SCT040W65G3-4, VDSS 650 V, ID 30 A, HiP247-4 de 4 pines
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
China


