MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

Código de producto RS: 214-958PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT040W120G3-4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 to 22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1200V

Temperatura Máxima de Operación

200°C

Certificaciones y estándares

RoHS, ECOPACK2

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 to 22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

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